參數(shù)資料
型號： 2SC5909
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion mesa type
中文描述： 15 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-94, TOP-3E-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： 2SC5909
Power Transistors
2SC5909
Silicon NPN triple diffusion mesa type
1
Publication date: March 2004
SJD00307AED
For horizontal deflection output
■
Features
High breakdown voltage: V
CBO
≥
1
500 V
High-speed switching: t
f
<
200 ns
Wide safe operation area
■
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
V
CB
=
1
000 V, I
E
=
0
V
CB
=
1
500 V, I
E
=
0
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
7.5 A
I
C
=
7.5 A, I
B
=
1.88 A
I
C
=
7.5 A, I
B
=
1.88 A
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.1 A, f
=
0.5 MHz
I
C
=
7.5 A, Resistance loaded
I
B1
=
1.88 A, I
B2
=
3.75 A
50
μ
A
1
mA
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE
50
μ
A
Forward current transfer ratio
5
10
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
2.5
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
f
T
1.5
V
Transition frequency
3
MHz
Storage time
t
stg
2.7
μ
s
μ
s
Fall time
t
f
0.2
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
1
500
V
Collector-emitter voltage (E-B short)
V
CES
1
500
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
600
V
Emitter-base voltage (Collector open)
7
V
Base current
I
B
5
A
Collector current
I
C
I
CP
15
A
Peak collector current
*
25
A
Collector power dissipation
P
C
50
W
T
a
=
25
°
C
3
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
15.5
±
0.5
3.0
±
0.3
5
(4.0)
2.0
±
0.2
1.1
±
0.1
5.45
±
0.3
0.7
±
0.1
5
5
5
5
10.9
±
0.5
1
5
2
3
(
(
(
S
3
±
0
5
±
0
(
2
±
0
(
2
±
0
1
±
0
(
φ
3.2
±
0.1
(
1: Base
2: Collector
3: Emitter
EIAJ: SC-94
TOP-3E-A1 Package
Note)*: Non-repetitive peak collector current
Internal Connection
B
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5912 Silicon NPN triple diffusion mesa type
2SC5913 Silicon NPN triple diffusion mesa type
2SC5926 Silicon NPN triple diffusion planar type
2SC5930 Variable Capacitance Diode for TV Tuner UHF Tuning; Ratings VR (V): 34; Characteristics n: 6.3 min; Characteristics rs (ohm) max: 0.57; Characteristics C (pF) max: C2 = 14.15 to 15.75 C25 = 1.89 to 2.18; Characteristics CVR/CVR: 2/25; Cl: 2.035; Package: UFP
2SC5931 Silicon NPN triple diffusion mesa type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5915-DL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 50V 10A 200 to 560 SMP-FD Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 10A SOT404 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5916TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5916TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5917TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH VOLT 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5918T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH VOLT 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*