參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5886
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述: 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
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代理商: 2SC5886
2SC5886
2002-08-21
4
Pulse width t
w
(s)
r
th (j-c)
– t
w
Collector-emitter voltage V
CEO
(V)
Safe Operation Area
C
C
T
r
t
0.001
0.5
0.01
0.1
1
3
10
50
1
5
30
10
0.003
0.03
0.3
3
Tc 25°C Infinite heat sink
Curves should be applied in
thermal limited area.
(single nonrepetitive pulse)
0.1
0.01
1
10
100
0.1
1
10
100
0.03
0.05
0.3
0.5
3
5
30
50
*
: Single pulse Tc 25°C
Curves must be derated
linealy with increase in
temperature
IC max (pulsed)
*
10 s
*
100 s
*
1 ms
*
IC max (continuous)
DC OPERATION
(Tc 25°C)
10 ms
*
100 ms
*
V
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PDF描述
2SC5889 2SC5889
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參數(shù)描述
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2SC5888 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 10A 50V
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