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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5886 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
| 中文描述： | 東芝晶體硅npn型外延式 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | 2SC5886 |
2SC5886
2002-08-21
2
Marking
Explanation of Lot No.
C5886
Product No.
Lot No.
Month of manufacture: January to December are denoted by letters A to L respectively.
Year of manufacture: last decimal digit of the year of manufacture
Figure 1 Switching Time Test Circuit & Timing Chart
I
B2
I
B1
20 s
Output
Input
I
B2
I
B1
R
L
V
CC
Duty cycle 1%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5889 | 2SC5889 |
| 2SC5890 | Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier |
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| 2SC5896 | Silicon NPN epitaxial planar type |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5886A(T6L1,NQ) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5888 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5888-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 10A 50V |
| 2SC5900-MG32 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SC5902 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TOP-3E-A1 1700V 9A 40W BCE Panasonic Transistor |
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