參數(shù)資料
型號： 2SC5886
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 118K
代理商： 2SC5886
2SC5886
2002-08-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5886
High-Speed Swtching Applications
DC-DC Converter Applications
High DC current gain: h
FE
= 400 to 1000 (I
C
= 0.5 A)
Low collector-emitter saturation: V
CE (sat)
= 0.22 V (max)
High-speed switching: t
f
= 55 ns (typ.)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
100
V
V
CEX
80
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
5
Collector current
Pulse
I
CP
10
A
Base current
I
B
0.5
A
Ta 25°C
1
Collector power
dissipation
Tc 25°C
Pc
20
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
100 V, I
E
0
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
7 V, I
C
0
100
nA
Collector-emitter brakedown voltage
V
(BR) CEO
I
C
10 mA, I
B
0
50
V
h
FE
(1)
V
CE
2 V, I
C
0.5 A
400
1000
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
2 V, I
C
1.6 A
200
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
1.6 A, I
B
32 mA
0.22
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
1.6 A, I
B
32 mA
1.10
V
Rise time
t
r
63
Storage time
t
stg
560
Switching time
Fall time
t
f
See Figure 1 circuit diagram
V
CC
24 V, R
L
15
I
B1
32 mA, I
B2
53 mA
55
ns
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-64
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5889 2SC5889
2SC5890 Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier
2SC5894 Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier / Oscillator
2SC5896 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC5902 Silicon NPN triple diffusion mesa type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SC5888 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 10A 50V
2SC5900-MG32 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC5902 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TOP-3E-A1 1700V 9A 40W BCE Panasonic Transistor
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