參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5886
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： 2SC5886
2SC5886
2002-08-21
3
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0.01
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0.1
1
3
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0.1
10
1
0.05
0.3
0.5
3
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0.3
0.003
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Common emitter
Tc 25°C
IC 2.5 A
1 A
2 A
0.001
10
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100
1000
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Common emitter
VCE 2 V
Tc 100°C
55°C
25°C
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30
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0.5
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0.03
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3
Common emitter
IC/IB 50
Tc 55°C
100°C
25°C
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
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0.5
0.03
0.05
0.003
0.005
0.003
0.03
0.3
3
Common emitter
IC/IB 50
Tc 100°C
55°C
25°C
0
0
0.5
1
1.5
1
2
Common emitter
VCE 2 V
55°C
Tc 100°C
25°C
C
C
B
V
B
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
– I
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
Base current I
B
(A)
V
CE
– I
B
C
V
C
0
0
2
4
6
8
2
4
6
Common emitter
Tc 25°C
10 mA
5 mA
2 mA
IB 1 mA
70 mA
50 mA
20 mA
30 mA
0
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5888 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 10A 50V
2SC5900-MG32 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC5902 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TOP-3E-A1 1700V 9A 40W BCE Panasonic Transistor
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