參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5875
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: Power transistor (30V, 2A)
中文描述: 功率晶體管(30V的2A號(hào))
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 98K
代理商: 2SC5875
2SC5875
Transistors
10
3/3
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
B
V
B
0.001
10
1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
I
C
/ I
B
=
10 / 1
Ta
=
125
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Fig.7 Base-Emitter Saturation
Voltage vs. Collecter Current
0
1.5
1
0.5
0.01
0.1
1
10
V
CE
=
2V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.8 Grounded Emitter
Propagation Characteristics
C
C
Ta
=
125
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
Fig.9 Transition Frequency
T
0.001
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
0.1
1
10
100
1
10
100
BASE TO COLLECTOR VOLTAGE : V
CB
(V)
Fig.10
Collector Output Capacitance
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
C
C
!
Switching characteristics measurement circuits
Collector current
waveform
Base current
waveform
I
B1
I
B1
90%
10%
I
B2
I
B2
I
C
V
IN
P
W
I
C
R
L
=
12.5
V
CC
25V
P
W
50 S
Duty cycle
1%
Ton
Tstg Tf
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2SC5876T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5880TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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