參數(shù)資料
型號： 2SC5875
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power transistor (30V, 2A)
中文描述： 功率晶體管（30V的2A號）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2SC5875
2SC5875
Transistors
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
2/3
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Parameter
Symbol
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
Min.
30
30
6
Typ.
Max.
1.0
1.0
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
Condition
V
CE (sat)
h
FE
f
T
Cob
Ton
Tstg
Tf
Non repetitive pulse
!
h
FE
RANK
I
C
=
1mA
I
C
=
100
μ
A
I
E
=
100
μ
A
V
CB
=
20V
V
EB
=
4V
I
C
=
1.0A
I
B
=
100mA
V
CE
=
2V
I
C
=
100mA
V
CE
=
10V
I
E
=
100mA
f
=
10MHz
V
CB
=
10V
I
E
=
0mA
f
=
1MHz
I
C
=
2A
I
B1
=
200mA
I
B2
=
200mA
V
CC
25V
120
200
250
15
25
100
20
500
390
mV
MHz
pF
ns
ns
ns
Q
120
270
R
180
390
!
Electrical characteristic curves
10
0.1
100
10
1
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
0.001
0.01
0.1
1
C
C
Fig.1 Safe Operating Area
Single
non repetitive
Pulsed
DC
100ms
10ms
1ms
0.01
10
1
0.1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
S
Fig.2 Switching Time
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
25V
I
C
/ I
B
=
10 / 1
Tstg
Tf
Ton
0.001
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
Fig.3 DC Current Gain vs.
Collector Current
(
Ι
)
Ta
=
125
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
V
CE
=
2V
0.001
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
Fig.4 DC Current Gain vs.
Collector Current
(
ΙΙ
)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
V
CE
=
3V
V
CE
=
2V
0.001
10
1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
V
C
I
C
/ I
B
=
10 / 1
Fig.5
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
(
Ι
)
Ta
=
125
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
0.001
10
1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
V
C
Ta
=
25
°
C
I
C
/ I
B
=
20 / 1
I
C
/ I
B
=
10 / 1
Fig.6
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
(
ΙΙ
)
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參數(shù)描述
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2SC5876T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5880TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SC5881TLQ 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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