參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5876
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Medium power transistor (60V, 0.5A)
中文描述： 中等功率晶體管（60V的，0.5A的）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SC5876
2SC5876
Transistor
Medium power transistor (60V, 0.5A)
1/3
2SC5876
!
Features
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 80ns
at
I
C
= 500mA)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 150mV
at
I
C
= 100mA, I
B
= 10mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2088
!
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
!
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
!
Packaging specifications
!
External dimensions
(Units : mm)
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : VS
UMT3
1.25
2.1
0
0
0.1Min.
(
0
0
0
0
(
2
1
(
0
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
Taping
2SC5876
Type
T106
3000
Package
Basic ordering unit
(pieces)
Code
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
V
V
V
A
mW
1 Pw
=
10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land.
2
1
°
C
°
C
A
V
CBO
V
CEO
I
C
P
C
Tj
V
EBO
I
CP
Tstg
Symbol
60
60
6
0.5
1.0
200
150
55~
+
150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5876T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5880TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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