- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370085 > 2SC5876 (Rohm CO.,LTD.) Medium power transistor (60V, 0.5A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5876 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Medium power transistor (60V, 0.5A) |
| 中文描述： | 中等功率晶體管（60V的，0.5A的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SC5876 |
2SC5876
Transistor
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
2/3
1 Pulse measurement
1
1
Parameter
Symbol
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
fT
h
FE
Cob
Ton
Min.
6
120
300
5
70
1.0
1.0
150
300
390
I
E
=
100
μ
A
V
CB
=
40V
V
CE
=
2V, I
C
=
50mA
V
EB
=
4V
I
C
=
100mA, I
B
=
10mA
I
C
=
500m
A,
I
B1
=
50mA
I
B2
=
50mA
V
CC
25V
V
CE
=
10V, I
E
=
100mA, f
=
10MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0mA, f
=
1MHz
V
μ
A
μ
A
MHz
pF
mV
ns
Tstg
130
ns
Tf
80
ns
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BV
CEO
60
V
I
C
=
1mA
Collector
emitter breakdown voltage
Collector cut-off current
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Emitter cut-off current
Collector
emitter staturation voltage
BV
CBO
60
I
C
=
100
μ
A
V
Collector
base breakdown voltage
Emitter
base breakdown voltage
!
h
FE
RANK
Q
R
120-270
180-390
!
Electrical characteristic curves
Fig.1 Safe operating area
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
C
C
1
10
0.1
100
10
1
0.1
0.01
DC
1ms
10ms
100ms
Single non
repetitive pulse
500
μ
s
Fig.2 Switching Time
1
0.01
0.1
10
1000
100
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
S
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
25V
I
C
/I
B
=
10/1
Tstg
Tf
Ton
Fig.3 DC current gain vs. collector
current
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
0.01
0.1
0.001
1
1000
100
10
1
Ta
=
125
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
V
CE
=
2V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.4 DC current gain vs. collector
current
0.001
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
D
F
V
CE
=
3V
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
0.001
0.01
0.1
0.01
0.1
1
10
C
V
C
(
)
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
1
I
C
/I
B
=
10/1
Ta
=
125
°
C
Ta
=
25
°
C
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
Ta
=
40
°
C
0.001
0.1
0.01
1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
C
V
C
s
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
I
C
/I
B
=
10/1
I
C
/I
B
=
20/1
Ta
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5880 | Power transistor (60V, 2A) |
| 2SC5887 | High-Current Switching Applications |
| 2SA2098 | High-Current Switching Applications |
| 2SA2098-2SC5887 | High-Current Switching Applications |
| 2SC5900 | SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5876T106Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5876T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5880TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5880TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5881TLQ | 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。