參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5859
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
中文描述： 東芝晶體管硅npn型三重?cái)U(kuò)散梅薩型
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 200K
代理商： 2SC5859
2SC5859
2004-5-18
4
P
C
– Tc
r
th(j-c)
– t
w
T
(
c
Pulse width tw (s)
10
0.001
10
μ
1000
100
μ
1m
100m
10
100
0.01
1
Tc = 25
℃
(Infinite heat sink)
Curves should be applied in thermal
limited area. (single nonrepetitive pulse)
0.1
10m
1
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Safe Operating Area
C
C
0.01
100
1 ms*
10 ms*
VCEO max
100 μs*
100 ms*
IC max (Continuous)*
1
100
1000
10
1
10
0.1
10 μs*
DC operation
Tc = 25°C
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves
must
be
derated
linearly
with
increase
in
temperature.
IC max (Pulse)*
C
C
Case temperature Tc (°C)
0
0
25
75
100
125
150
50
150
200
250
100
50
Infinite heat sink
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Reverse Bias – Safe Operating Area
C
C
100
0.1
0.001
10
10000
10
100
Ta = 25
℃
Non repeated pulse
IB2 =
3A
L = 500
μ
H
1
0.01
1000
VCBO max
IC max (Pulse)
620V,46A
1700V,0.14A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5865 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3,
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2SC5865TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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