參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5791
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: IC - FLASH, 128 MBIT (8M X 16/4M X 32), 3.3V, 80 F
中文描述: 超高清晰度CRT顯示器水平偏轉(zhuǎn)輸出應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
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代理商: 2SC5791
2SC5791
No.6993-2/4
0
0
1
IC -- VCE
1.8A
IT03543
IT03545
IT03544
IT03546
3
2
10
9
8
7
6
5
4
1
2
5
6
3
4
7
8
9
10
0
0
IC -- VBE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
6
4
10
8
2
7
5
9
3
1
1.0
hFE -- IC
2
3
5
7
2
3
5
7
0.1
1.0
10
10
2
3
5
100
7
2
3
5
7
0.1
VCE(sat) -- IC
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0
10
0.01
10
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
IB=0
0.2A
0.1A
0.4A
0.6A
0.8A
1.2A
1.0A
1.6A
2.0A
1.4A
T=2
°
C
2
°
C
-
°
C
Ta=120
°
C
25
°
C
--40
°
C
120
°
C
VCE=5V
VCE=5V
IC / IB=5
Ta=
25
°
C
--40
°
C
2
°
C
T4
°
C
1
°
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
Collector Current, IC -- A
D
Collector Current, IC -- A
C
S
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
DC Current Gain
hFE1
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
tstg
tf
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=7A
IC=6.3A, IB=1.6A
IC=6.3A, IB=1.6A
IC=5A, IB1=0.8A, IB2=--2.5A
IC=5A, IB1=0.8A, IB2=--2.5A
10
4
7
3
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Storage Time
Fall Time
V
V
μ
s
μ
s
1.5
3.0
0.2
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=40
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
1%
IB1
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5792 IC - FLASH, 128 MBIT (8M X 16/4M X 32), 3.3V, 80 F
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2SC5810 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5811 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
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參數(shù)描述
2SC5793-YD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC5808-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5810(TE12L,F) 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SC581300L 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SC5819(TE12L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62