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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5606 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD |
| 中文描述： | NPN硅射頻晶體管·低噪聲高增益放大3針Ultra超MINIMOLD |
| 文件頁數(shù)： | 9/16頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SC5606 |
Preliminary Data Sheet P14658EJ2V0DS00
9
2SC5606
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA, Z
O
= 50
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
2900
3000
0.840
0.859
0.808
0.798
0.800
0.771
0.767
0.736
0.721
0.697
0.680
0.648
0.630
0.602
0.584
0.565
0.535
0.510
0.483
0.471
0.444
0.425
0.402
0.379
0.365
0.351
0.327
0.322
0.321
0.323
7.0
11.8
16.2
22.2
28.0
33.0
38.8
42.9
47.1
51.8
57.8
60.1
65.4
70.2
74.7
79.1
84.5
88.9
94.5
99.3
104.5
111.2
116.8
122.6
130.3
138.5
143.3
151.8
159.6
167.5
3.680
3.333
3.310
3.155
3.143
3.052
3.008
2.923
2.889
2.788
2.740
2.700
2.629
2.581
2.498
2.467
2.422
2.350
2.342
2.323
2.259
2.198
2.165
2.139
2.092
2.039
1.981
1.984
1.917
1.895
174.5
167.8
163.1
157.2
152.8
148.0
143.7
138.9
135.5
131.2
126.3
123.8
120.0
115.7
113.0
108.5
105.3
102.1
98.9
95.5
91.8
89.3
85.3
82.0
79.4
76.1
72.8
70.5
67.8
64.0
0.020
0.026
0.048
0.049
0.058
0.056
0.069
0.074
0.080
0.093
0.095
0.102
0.103
0.112
0.111
0.118
0.120
0.124
0.126
0.136
0.133
0.139
0.141
0.144
0.149
0.151
0.153
0.155
0.161
0.158
166.8
30.5
75.0
73.5
73.2
69.9
61.7
63.2
55.4
57.3
58.0
54.0
53.7
53.6
51.2
51.7
48.1
47.2
47.7
45.1
46.7
45.4
47.4
46.8
44.1
45.1
42.3
46.6
45.9
45.4
0.975
0.970
0.946
0.920
0.901
0.895
0.880
0.852
0.831
0.831
0.798
0.780
0.764
0.754
0.737
0.729
0.705
0.695
0.670
0.665
0.650
0.636
0.618
0.605
0.590
0.581
0.559
0.550
0.535
0.513
4.4
7.7
10.1
13.2
14.5
17.5
20.4
21.6
23.7
26.0
26.9
29.2
29.2
31.5
31.9
34.1
35.8
36.4
38.0
38.7
40.8
40.6
41.4
42.9
44.5
45.0
45.8
47.1
46.8
49.0
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| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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