參數(shù)資料
型號： 2SC5606
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管·低噪聲高增益放大3針Ultra超MINIMOLD
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大小： 68K
代理商： 2SC5606
Preliminary Data Sheet P14658EJ2V0DS00
5
2SC5606
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
N
Collector Current I
C
(mA)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1
10
100
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1
2SC5606-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5611 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
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