參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5606
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管·低噪聲高增益放大3針Ultra超MINIMOLD
文件頁(yè)數(shù)： 1/16頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2SC5606
PRELIMINARY DATA SHEET
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Document No. P14658EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5606
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION
3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
1999, 2000
The mark
shows major revised points.
FEATURES
Suitable for high-frequency oscillation
f
T
= 25 GHz technology adopted
3-pin ultra super minimold
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5606
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5606-T1
3 kpcs/reel
Pin 3 (collector) face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, consult your NEC sales representative (Unit sample quantity is 50 pcs).
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
15
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
3.3
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
1.5
V
Collector Current
I
C
35
mA
Total Power Dissipation
P
tot
Note
115
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
Note
Mounted on 1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) glass epoxy substrate
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5610 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for DC/DC Converter Applications(用于DC/DC變換器的NPN硅外延平面型晶體管)
2SA2022 DC/DC Converter Applications
2SC5623 SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
2SC5624 Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier
2SC5628 Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5611 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
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