參數(shù)資料
型號： 2SC5606
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE · HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管·低噪聲高增益放大3針Ultra超MINIMOLD
文件頁數(shù)： 15/16頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2SC5606
Preliminary Data Sheet P14658EJ2V0DS00
15
2SC5606
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5610 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for DC/DC Converter Applications(用于DC/DC變換器的NPN硅外延平面型晶體管)
2SA2022 DC/DC Converter Applications
2SC5623 SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
2SC5624 Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier
2SC5628 Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-T1-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5611 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
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