參數(shù)資料
型號： 2SC5593
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier
中文描述： 硅外延npn型高頻低噪聲放大器
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： 2SC5593
2SC5593
7
Package Dimensions
2.0
±
0.2
1.3
±
0.2
0.3
2
±
0.65
0.6
1.25
±
0.2
0.16
0 – 0.1
0
±
+ 0.1
0.4
+ 0.1
0.3
+ 0.1
+ 0.1
0.65
0.65
0.3
+ 0.1
0
0
0
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass
(reference value)
CMPAK-4(T)
—
Conforms
0.006 g
1
±
As of January, 2001
Unit: mm
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
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2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1
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