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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5509 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅射頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/15頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | 2SC5509 |
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
2
2SC5509
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction to Case Resistance
R
th j-c
95
°
C/W
Junction to Ambient Resistance
R
th j-a
650
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0 mA
600
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
BE
= 1 V, I
C
= 0 mA
600
nA
DC Current Gain
h
FE
Note 1
V
CE
= 2 V, I
C
= 10 mA
50
70
100
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 90 mA, f = 2 GHz
13
15
GHz
Insertion Power Gain
S
21e
2
V
CE
= 2 V, I
C
= 50 mA, f = 2 GHz
8
11
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 2 , I
C
= 10 mA, f = 2 Hz,
Z
S
= Z
opt
–
1.2
1.7
dB
Reverse Transfer Capacitance
C
re
Note 2
V
CB
= 2 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
0.5
0.75
pF
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
V
CE
= 2 V, I
C
= 50 mA, f = 2 GHz
14
dB
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 4
V
CE
= 2 V, I
C
= 50 mA, f = 2 GHz
15
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
P
O (1 dB)
V
CE
= 2 V, I
C
= 70 mA
Note 5
, f = 2 GHz
17
dBm
3rd Order Intermodulation Distortion
Output Intercept Point
OIP
3
V
CE
= 2 V, I
C
= 70 mA
Note 5
, f = 2 GHz
27
dBm
Notes 1.
Pulse measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
2.
Collector to base capacitance when the emitter grounded
3.
MAG =
4.
MSG =
5.
Collector current when P
O (1 dB)
is output
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
T80
h
FE
Value
50 to 100
(K –
√
(K
2
– 1) )
S
21
S
12
S
21
S
12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5509-T2 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| 2SC5511 | High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關(guān)晶體管) |
| 2SC5525 | High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管) |
| 2SC5526 | High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管) |
| 2SC5531 | High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關(guān)晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5509-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5509-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5517000LK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5521 | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR |
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