參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5509
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： 2SC5509
Data Sheet PU10009EJ01V0DS
12
2SC5509
PACKAGE DIMENSIONS
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (UNIT: mm)
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
0
0
+
–
0
0
0
0
1
1
2
1
2
4
3
1.25 ± 0.1
2.05 ± 0.1
0
+
–
0
+
–
0
+
–
0
+
–
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5509-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR
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2SC5526 High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管)
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參數(shù)描述
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5517000LK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5521 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR
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