參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5508
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益的功放平引腳4引腳薄型超微型模具
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： 2SC5508
Preliminary Data Sheet P13865EJ1V0DS00
3
2SC5508
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
Thermal/DC Characteristics
Collector Current vs. Collector to Emitter Voltage
DC Current Gain vs. Collector Current
0.001
200
100
10
0
1
2
3
4
5
1
0.01
0.1
1
10
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(mA)
C
C
D
F
Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature, Case Temperature
Collector Current vs. DC Base Voltage
50
40
30
20
10
250
200
150
100
50
0
50
40
30
20
10
0
Ambient Temperature T
A
(
°
C), Case Temperature T
C
(
°
C)
DC Base Voltage V
BE
(V)
T
T
C
C
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P
T
-T
A
: Free air
P
T
-T
A
:
Mounted on ceramic board
(15 mm
×
15 mm, t = 0.6 mm)
P
T
-T
C
:
When case temperature
is specified
V
CE
= 2 V
700 A
750 A
V
CE
= 2 V
650 A
600 A
550 A
500 A
450 A
400 A
350 A
300 A
250 A
200 A
150 A
100 A
I
B
= 50 A
Capacitance/f
T
Characteristics
Reverse Transfer Capacitance vs. Collector to Base Voltage
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
R
r
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
f = 1 MHz
1
30
25
20
15
10
5
0
10
100
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
G
T
Collector Current I
C
(mA)
V
= 3 V
f = 2 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5508-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5509 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5509-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5511 High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關(guān)晶體管)
2SC5525 High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5508-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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