參數(shù)資料
型號: 2SC5508
廠商: NEC Corp.
英文描述: NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述: NPN硅射頻晶體管,低噪聲,高增益的功放平引腳4引腳薄型超微型模具
文件頁數(shù): 15/16頁
文件大?。?/td> 106K
代理商: 2SC5508
Preliminary Data Sheet P13865EJ1V0DS00
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2SC5508
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5508-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5509 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5509-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5511 High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關(guān)晶體管)
2SC5525 High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5508-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1