參數(shù)資料
型號： 2SC5507-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益放大平引腳4引腳薄型超小型，低電流模
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： 2SC5507-T2
Preliminary Data Sheet P13864EJ1V0DS00
3
2SC5507
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
Thermal/DC Characteristics
Collector Current vs. Collector to Emitter Voltage
DC Current Gain vs. Collector Current
0.001
200
100
10
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
5
1
0.01
0.1
1
10
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(mA)
C
C
D
F
Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature, Case Temperature
Collector Current vs. DC Base Voltage
50
40
30
20
10
250
200
150
100
50
0
Ambient Temperature T
A
(
°
C), Case Temperature T
C
(
°
C)
DC Base Voltage V
BE
(V)
T
T
C
C
P
T
-T
A
: Free air
P
T
-T
A
:
Mounted on ceramic board
(15 mm
×
15 mm, t = 0.6 mm)
P
T
-T
C
:
When case temperature
is specified
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
380 A
= 20 A
I
B
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
Capacitance/f
T
Characteristics
1
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
30
25
20
15
10
5
0
10
100
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
Reverse Transfer Capacitance vs. Collector to Base Voltage
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
G
T
Collector Current I
C
(mA)
f = 1 MHz
V
= 3 V
f = 2 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5507(NE661M04) Discrete
2SC5508 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5508-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
2SC5509 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5509-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5507-T2-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape
2SC5507-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5508-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*