參數(shù)資料
型號： 2SC5336
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
中文描述： npn型外延硅晶體管高頻低失真功率放大器
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC5336
3
2SC5336
I
C
- Collector Current - mA
N
V
CE
= 10 V
f = 1 GH
Z
0.5
0
1
2
3
4
5
6
7
1
5
10
50
I
C
- Collector Current - mA
INTERMODULATION DISTORTION vs.
COLLECTOR CURRENT
20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
30
40
50
60
70
I
2
V
CE
= 10 V
V
O
= 100 dB V/50
R
g
= R
e
= 50
IM
2
f = 90 + 100 MH
Z
IM
3
f
= 2
×
200 – 190 MH
Z
at
IM
3
IM
2
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5337 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5338 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC535 Silicon NPN Epitaxial Planar
2SC5369 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFICATION
2SC536N NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(低頻通用放大器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5336(NE856M02) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
2SC5336-AZ 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5336RE 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243
2SC5336RE-T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243
2SC5336RF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*