參數(shù)資料
型號： 2SC5336
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
中文描述： npn型外延硅晶體管高頻低失真功率放大器
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC5336
2
2SC5336
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
0
50
100
150
1.0
0.3
1
3
5
10
20
30
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
0
1
3
5
10
20 30
50
100
5
10
15
100.5
1
5
10
20
50
100
200
50
0.3
1
0.5
1
2
3
5
10
3
5
10
20
30 50
0
0.2
10
20
0.4
0.6 0.8 1.0 1.4
2.0
P
T
T
A
- Ambient Temperature - C
FEED BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
C
r
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - mA
S
2
2
-
I
C
- Collector Current - mA
h
F
-
f
T
Z
I
C
- Collector Current - mA
S
2
2
-
M
f - Frequency - GH
Z
S
21e
2
MAG
V
CE
= 10 V
I
C
= 20 mA
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
GAIN BAND WIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
INSERTION GAIN .MAXIMUM GAIN vs.
FREQUENCY
V
CE
= 10 V
f = 1 GH
Z
V
CE
= 10 V
f = 1 GH
Z
f = 1.0 MH
Z
V
CE
= 10 V
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Free Air
R
th(j–a)
312.5 C/W
Ceramic Substrate
16 cm
2
×
0.7 mm
2.0
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PDF描述
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