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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5013-T2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管4個(gè)引腳超小型模具 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | 2SC5013-T2 |
2SC5013
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
P
T
T
A
- Ambient Temperature - C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
I
C
50
V
BE
- Base to Emitter Voltage - V
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
I
C
30
V
CE
- Collector to Emitter Voltage - V
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
h
F
I
C
- Collector Current - mA
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
f
T
I
C
- Collector Current - mA
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
|
2
|
2
1
I
C
- Collector Current - mA
200
100
50
100
150
0
0.5
1.0
0
40
30
20
10
V
CE
= 6 V
20
10
2
8
12
0
500
200
1
100
10
20
50
5
50
V
CE
= 6 V
12
10
1
8
0
2
6
5
10
50
V
CE
= 6 V
f = 1 GHz
12
0
8
5
10
20
50
V
CE
= 6 V
f = 2 GHz
4
6
10
2
2
10
20
2
20
4
4
A
μ
160 A
140 A
120 A
100 A
80 A
60 A
40 A
20 A
A
μ
I
B
=
200
180
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SC5015-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
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參數(shù)描述 |
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