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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3356 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | Microwave Low Noise NPN Transistor(微波低噪聲NPN晶體管) |
| 中文描述： | 微波低噪聲NPN晶體管（微波低噪聲npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 2SC3356 |
2
2SC3356
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
200
100
0
10
20
50
100
200
50
1
5
10
50
0.5
100
150
T
A
-Ambient Temperature-
°
C
I
C
-Collector Current-mA
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
P
T
-
h
F
-
V
CE
= 10 V
0
0.5
5
10
15
1
5
10
50 70
I
C
-Collector Current-mA
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
|
2
|
2
-
V
CE
= 10 V
f = 1.0 GHz
0.3
0.5
1
2
0
0.5
1
2
5
10
20
30
V
CB
-Collector to Base Voltage-V
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
C
r
-
f = 1.0 MHz
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
0
0.5 1.0
I
C
-Collector Current-mA
10
5.0
30
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
f
T
-
V
CE
= 10 V
0
10
20
0.1
0.2
0.4
0.6 0.81.0
2
f-Frequency-GHz
INSERTION GAIN, MAXIMUM GAIN
vs. FREQUENCY
G
m
-
|
2
|
2
-
V
CE
= 10 V
I
C
= 20 mA
G
max
|S
21e
|
2
Free Air
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3357 | NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN 硅外延晶體管) |
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參數(shù)描述 |
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