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參數資料
| 型號： | 2SB648 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 中文描述： | 硅外延進步黨（外延進步黨晶體管） |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SB648 |
2SB648, 2SB648A
6
Semiconductor & IC Div.
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Semiconductor & IC Div.
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Harbour City, Canton Road
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Hong Kong
Tel: 27359218
Fax: 27306071
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB648A | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 2SB649 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB649 | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | Silicon PNP Epitaxial |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB648A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SB648AB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648AC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648AD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB648B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
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