參數(shù)資料
型號(hào): 2SB648
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管)
中文描述: 硅外延進(jìn)步黨(外延進(jìn)步黨晶體管)
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 35K
代理商: 2SB648
2SB648, 2SB648A
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SD668/A
Outline
123
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126 MOD
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Ratings
Item
Symbol
2SB648
2SB648A
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
Tj
–180
–180
V
Collector to emitter voltage
–120
–160
V
Emitter to base voltage
–5
–5
V
Collector current
–50
–50
mA
Collector peak current
–100
–100
mA
Collector power dissipation
1
1
W
Junction temperature
150
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
–55 to +150
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PDF描述
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