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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB649 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SB649 |
2SB649, 2SB649A
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD669/A
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126 MOD
123
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB649 | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB717 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB757 and 2SB758 |
| 2SB718 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB757 and 2SB758 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB649_09 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 2SB649_11 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 2SB649A | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:PNP Epitaxial Planar Transistors |
| 2SB649AB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| 2SB649A-B-AB3-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
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