參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.115A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流0.115A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： 2N7002
2N7000/7002, VQ1000J/P, BS170
Siliconix
S-52429—Rev. E, 28-Apr-97
5
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
0
4
8
12
16
20
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
0.5
1.0
1.5
2.0
–55
–30
–5
20
45
70
95
120
145
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
35
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 30 V
I
D
= 0.5 A
–
r
D
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 10 V, r
DS
@ 0.5 A
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
r
DS
@ 10 V = V
GS
r
DS
@ 5 V = V
GS
T
J
= 25 C
V
GS
= 5 V, r
DS
@ 0.05 A
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
0.001
0.010
0.100
1.000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
500 mA
r
DS
= 50 mA
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002DW-7-F DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002E-7-F N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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2N7002M MOSFET( N-Channel )
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參數(shù)描述
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