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配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N7002 H6327
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
18500
Infineon
SOT-23
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

2N7002 H6327
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
195000
INFINEON
SOT-23
1205+
-
全新原裝現(xiàn)貨

2N7002 H6327
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
INFINEON/英飛凌
SOT-23
22+
-
十年配單，只做原裝

2N7002 H6327
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質：營業(yè)執(zhí)照
86800
INFINEON/英飛凌
SOT23-3
21+原廠授權
-
★原廠授權★價超代理★

2N7002 H6327
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯(lián)系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
資質：營業(yè)執(zhí)照
5985
INFINEON/英飛凌
SOT-23
2022+
-
進口原裝假一賠十支持含稅

2N7002 H6327
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯(lián)系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

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您是不是要找： 2N7002 L6327 2N7002 TR 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z

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功能描述
MOSFET N-Channel 60V MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2N7002 H6327 技術參數(shù)

2N7002 BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,500 2N7002 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 2N7000TA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N7000RLRPG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N7000RLRMG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7 2N7002AQ-13 2N7002AQ-7 2N7002BK,215 2N7002BKM,315 2N7002BKMB,315 2N7002BKS,115 2N7002BKS/ZLX 2N7002BKT,115 2N7002BKV,115 2N7002BKVL 2N7002BKW,115 2N7002CK,215 2N7002CKVL 2N7002-D87Z 2N7002DW