參數(shù)資料
型號(hào): 2N7002
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.115A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述: N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管(最小漏源擊穿電壓60V的,夾斷電流0.115A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管)
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代理商: 2N7002
2N7000/7002, VQ1000J/P, BS170
4
Siliconix
S-52429—Rev. E, 28-Apr-97
Specifications
a
for VQ1000J/P and BS170
Limits
VQ1000J/P
BS170
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typ
b
Min
Max
Min
Max
Unit
Switching
d
Turn-On Time
t
ON
7
10
Turn-Off Time
t
OFF
7
10
ns
Turn-On Time
t
ON
7
10
Turn-Off Time
t
OFF
7
10
Notes
a.
b.
c.
d.
T
A
= 25 C unless otherwise noted.
For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
Pulse test: PW
80 s duty cycle
Switching time is essentially independent of operating temperature.
VNBF06
1%.
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
V
GS
= 10, 9, 8, 7 V
6.5 V
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T
A
= –55 C
25 C
125 C
6 V
5.5 V
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
2, 1 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2N7002E-7-F N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K N-Ch; 60V (DS) MOSFET; add ESD protect function
2N7002M MOSFET( N-Channel )
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參數(shù)描述
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2N7002 H6327 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube