參數(shù)資料
型號(hào): 2N6547
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Switching NPN Silicon Power Transistor(開關(guān)型硅NPN功率晶體管)
中文描述: 15 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 70K
代理商: 2N6547
2N6547
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO-204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
MIN
1.550 REF
---
0.250
0.038
0.055
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.665 BSC
---
0.151
1.187 BSC
0.131
MAX
MIN
39.37 REF
---
6.35
0.97
1.40
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
16.89 BSC
---
3.84
30.15 BSC
3.33
MAX
MILLIMETERS
INCHES
1.050
0.335
0.043
0.070
26.67
8.51
1.09
1.77
0.480
12.19
0.830
0.165
21.08
4.19
0.188
4.77
A
N
E
C
K
–T–
SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.13 (0.005)
Y
M
T
M
Y
M
0.13 (0.005)
T
–Q–
–Y–
2
1
U
L
G
B
V
H
CASE 1–07
TO–204AA (TO–3)
ISSUE Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6620 NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER
2N6621 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | MACRO-T
2N662 alloy-junction germanium transistors
2N6660 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場效應(yīng)管)
2N6661 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓90V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6547 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3
2N6547/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Switchmode Series NPN Silicon Power Transistors
2N6548 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
2N6548N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR
2N6549 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel