- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371469 > 2N6547 (ON SEMICONDUCTOR) Switching NPN Silicon Power Transistor(開關(guān)型硅NPN功率晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6547 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching NPN Silicon Power Transistor(開關(guān)型硅NPN功率晶體管) |
| 中文描述： | 15 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | 2N6547 |
2N6547
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
100
Figure 1. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
50
30
20
1.4
Figure 2. Collector Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.0
0.6
0.4
0.2
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 5.0
2.0
Figure 3. “On” Voltages
I
B
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.07
0.2
0.3
0.5
1.0
7.0
1.6
70
h
T
J
= 150
°
C
25
°
C
-55
°
C
T
J
= 25
°
C
I
C
= 2.0 A
10 A
V
2.5
Figure 4. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
θ
°
2.0
1.0
0
-2.5
θ
VB
for V
BE
*
θ
VC
for V
CE(sat)
*APPLIES FOR I
C
/I
B
hFE@VCE
2.0V
3
V
BE(on)
@ V
CE
= 2.0 V
1.2
0.8
0.1
0.7
1.2
0.8
0.4
1.5
-1.0
-1.5
10
7.0
0.2
0.3
1.0
2.0
3.0
20
5.0 A
2.0
5.0
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 5
0.2 0.3
1.0
7.0
0.5
2.0
3.0
20
0.5
1.0
2.0 3.0
10
0.7
7.0
5.0
20
0.3
0.2
-55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
25
°
C to 150
°
C
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 10 V
0.5
5.0
7.0
10
3.0
15 A
0.5
5.0
10
-0.5
-2.0
-55
°
C to 25
°
C
3.0 k
2.0 k
Figure 5. Turn–On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.02
20
V
CC
= 250 V
I
C
/I
B
= 5.0
T
J
= 25
°
C
1.0
0.1
2.0
t
r
t
d
@ V
BE(off)
= 5.0 V
t
30
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
0.05
10
0.2
0.5
Figure 6. Turn–Off Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
CC
= 250 V
I
C
/I
B
= 5.0
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
1.0 k
700
500
100
300
200
t
5.0
0.02
20
1.0
0.1
2.0
0.05
10
0.2
0.5
5.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6620 | NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER |
| 2N6621 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | MACRO-T |
| 2N662 | alloy-junction germanium transistors |
| 2N6660 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 2N6661 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓90V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6547 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 |
| 2N6547/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Switchmode Series NPN Silicon Power Transistors |
| 2N6548 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS |
| 2N6548N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
| 2N6549 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。