參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6508
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers
中文描述： 25 A, 600 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： 2N6508
2N6504 Series
http://onsemi.com
4
1.0
0.7
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
100
0.2
0.3
0.5
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
25
°
C
125
°
C
0.4
0.1
Z
θ
JC(t)
= R
θ
JC
r(t)
1 CYCLE
1.0
200
SURGE IS PRECEDED AND
FOLLOWED BY RATED CURRENT
T
C
= 85
°
C
f = 60 Hz
NUMBER OF CYCLES
225
250
275
300
20
2.0
3.0
4.0
6.0
8.0
10
0.1
0
0.01
t, TIME (ms)
3.0
5.0
175
0.2
0.3
0.5
0.7
7.0
5.0
1.0
2.0
10
50
3.0
20
30
70
v
F
, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
1.2
2.0
1.6
2.4
2.8
0.8
30
50
100
200 300
500
2.0 k
10
3.0 k 5.0 k
10 k
1.0 k
I
T
r
F
Figure 3. Typical On–State Characteristics
Figure 4. Maximum Non–Repetitive Surge Current
Figure 5. Thermal Response
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PDF描述
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2N6718L Mini size of Discrete semiconductor elements
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參數(shù)描述
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2N6508T 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel
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2N6509 功能描述:SCR 800V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6509DIE 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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