參數(shù)資料
型號： 2N6505
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers
中文描述： 25 A, 100 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2N6505
2N6504 Series
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode –
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
C
T
°
dc
180
°
16
12
0
80
90
10
0
110
13
0
60
°
α
= 30
°
0
4.0
I
T(AV)
, ONSTATE FORWARD CURRENT (AMPS)
8.0
12
20
α
= CONDUCTION ANGLE
α
90
°
P
(
180
°
90
°
24
0
8.0
16
32
T
J
= 125
°
C
dc
60
°
α
= 30
°
I
T(AV)
, AVERAGE ONSTATE FORWARD CURRENT (AMPS)
16
0
4.0
8.0
12
20
α
= CONDUCTION ANGLE
α
Figure 1. Average Current Derating
Figure 2. Maximum On–State Power Dissipation
相關PDF資料
PDF描述
2N6507 Silicon Controlled Rectifiers
2N6508 Silicon Controlled Rectifiers
2N6509 Silicon Controlled Rectifiers
2N6515 NPN High Voltage Transistor(NPN型高電壓晶體管)
2N6516 NPN High Voltage Transistor(NPN型高電壓晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6505G 功能描述:SCR 100V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6505T 功能描述:SCR 100V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6505TG 功能描述:SCR 100V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6506 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:THYRISTORS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N6507 功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*