參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6439
英文描述： POWER TRANSISTOR
中文描述： 功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 137K
代理商： 2N6439
Figure 2. P
out
versus Frequency
Figure 3. Output Power versus Input Power
Figure 4. Power Gain versus Frequency
Figure 5. Output Power versus Supply Voltage
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
NARROW BAND DATA
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6439 60 W, 225 to 400 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
2N6477 Shrink Tubing; Tubing Size Diameter:0.5"; Wall Thickness Recovered Nominal:0.055"; Inner Diameter Max Recovered:0.195"; Expanded Inner Diameter:0.500"; Material:Polyolefin
2N6478 MEDIUM POWER SILICON NPN TRANSISTORS
2N6488 Complementary Silicon Plastic Power Transistor(15A，75W，80V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型，硅NPN功率晶體管)
2N6504G Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
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參數(shù)描述
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2N6442 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS
2N6443 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS
2N6444 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS
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