參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5461
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-2mA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓40V的，最小飽和漏極電流，二毫安的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2N5461
2N/SST5460 Series
4
Siliconix
S-52431—Rev. C, 05-May-97
Typical Characteristics (Cont’d)
–5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
–4
–3
–2
–1
0
Transfer Characteristics
T
A
= –55 C
125 C
–
I
D
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
25 C
–10
0
1
2
3
4
5
–8
–6
–4
–2
0
Transfer Characteristics
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
T
A
= –55 C
125 C
–
I
D
25 C
–0.1
–1
–10
1000
800
0
600
400
200
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
r
D
–
)
T
A
= 25 C
V
GS(off)
= 1.5 V
3 V
4 V
10 nA
1 nA
0.1 pA
0
–30
–40
–20
–10
–50
100 pA
10 p A
1 pA
Gate Leakage Current
V
DG
– Drain-Gate Voltage (V)
–
I
G
I
GSS
@ 125 C
I
GSS
@ 25 C
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
–5 mA
–5 mA
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
4
3
2
1
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
T
A
= –55 C
25 C
125 C
g
f
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
5
0
1
2
3
4
5
4
3
2
1
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
T
A
= –55 C
25 C
125 C
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
g
f
V
GS(off)
= 1.5 V
V
DS
= –15 V
V
GS(off)
= 3 V
V
DS
= –15 V
V
GS(off)
= 1.5 V
V
DS
= –15 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= 3 V
V
DS
= –15 V
f = 1 kHz
–1 mA
–0.1 mA
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PDF描述
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