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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5461 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-2mA的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | P溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓40V的，最小飽和漏極電流，二毫安的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | 2N5461 |
2N/SST5460 Series
Siliconix
S-52431—Rev. C, 05-May-97
3
Typical Characteristics
–20
0
2
4
6
8
10
–16
–12
–8
–4
0
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
–
I
D
g
f
g
fs
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
g
fs
I
DSS
5
0
2.5
1000
0
2
4
6
8
10
800
600
400
200
0
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
r
DS
@ I
D
= –100 mA, V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
r
DS
g
os
100
80
60
40
20
0
r
D
–
)
–2
0
–4
–8
–12
–16
–20
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
0.2 V
0.4 V
0.6 V
0.8 V
1.0 V
V
GS
= 0 V
V
GS(off)
= 1.5 V
–0.5
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
0.4 V
0.6 V
0.8 V
1.0 V
1.2 V
V
GS
= 0 V
–10
0
–4
–8
–12
–16
–20
–8
–6
–4
–2
0
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 0 V
0.5 V
2.0 V
1.0 V
1.5 V
V
GS(off)
= 3 V
–2
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0
Output Characteristics
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
= 0 V
0.5 V
2.0 V
2.5 V
1.0 V
1.5 V
V
GS(off)
= 3 V
V
GS(off)
= 1.5 V
0.2 V
S
g
–
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PDF描述 |
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