參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5461
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-2mA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓40V的，最小飽和漏極電流，二毫安的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2N5461
2N/SST5460 Series
Siliconix
S-52431—Rev. C, 05-May-97
1
P-Channel JFETs
2N5460
2N5461
2N5462
SST5460
SST5461
SST5462
Product Summary
Part Number
V
GS(off)
(V)
V
(BR)GSS
Min (V)
g
fs
Min (mS)
I
DSS
Min (mA)
2N/SST5460
0.75 to 6
40
1
–1
2N/SST5461
1 to 7.5
40
1.5
–2
2N/SST5462
1.8 to 9
40
2
–4
Features
High Input Impedance
Very Low Noise
High Gain: A
V
= 80 @ 20 A
Low Capacitance: 1.2 pF Typical
Benefits
Low Signal Loss/System Error
High System Sensitivity
High-Quality Low-Level Signal
Amplification
Applications
Low-Current, Low-Voltage Amplifiers
High-Side Switching
Ultrahigh Input Impedance
Pre-Amplifiers
Description
The 2N/SST5460 series are p-channel JFETs designed to
provide all-around performance in a wide range of amplifier
and analog switch applications.
The 2N series, TO-226AA (TO-92), and SST series, TO-236
(SOT-23), plastic packages provide low cost options, and are
available in tape-and-reel for automated assembly, (see
Packaging Information).
TO-226AA
(TO-92)
Top View
S
G
D
1
2
3
D
S
G
TO-236
(SOT-23)
2
3
1
SST5460 (B0)*
SST5461 (B1)*
SST5462 (B2)*
*Marking Code for TO-236
Top View
2N5460
2N5461
2N5462
Absolute Maximum Ratings
Gate-Drain Voltage
Gate-Source Voltage
Gate Current
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
40 V
40 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–10 mA
–65 to 150 C
–55 to 150 C
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
Power Dissipation
a
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300 C
. . . . . . . . . . . . . . .
350 mW
Notes
a.
Derate 2.8 mW/ C above 25 C
Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70262.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5462 P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-4mA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
2N5484 N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流1mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
2N5485 N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流4mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
2N5486 N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流8mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
2N5490 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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2N5461_D26Z 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5461_D74Z 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5461_L99Z 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5461_Q 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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