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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5087 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Silicon Amplifier Transistor(硅PNP放大器晶體管) |
| 中文描述： | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | 2N5087 |
2N5087
http://onsemi.com
4
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 6. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.003
h
F
T
J
= 125
°
C
55
°
C
25
°
C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
Figure 7. Collector Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 8. Collector Characteristics
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 1.0 V
*
VC
for V
CE(sat)
VB
for V
BE
0.1
0.2
0.5
Figure 9. “On” Voltages
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
0.002
V
T
A
= 25
°
C
I
C
= 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 10. Temperature Coefficients
50 mA
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
0
I
T
A
= 25
°
C
PULSE WIDTH = 300 s
DUTY CYCLE
≤
2.0%
I
B
= 400 A
350 A
300 A
250 A
200 A
*APPLIES for I
C
/I
B
≤
h
FE
/2
25
°
C to 125
°
C
55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 125
°
C
55
°
C to 25
°
C
40
60
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70
100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.4
0.8
0
1.6
0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V
θ
°
150 A
100 A
50 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2N5087_J18Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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