參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5087
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Silicon Amplifier Transistor(硅PNP放大器晶體管)
中文描述： 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 151K
代理商： 2N5087
2N5087
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 1)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
50
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
50
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 35 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 3.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 100 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc) (Note 1)
h
FE
250
250
250
800
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.3
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
0.85
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain — Bandwidth Product
(I
C
= 500 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
f
T
40
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 5.0 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
cb
4.0
pF
SmallSignal Current Gain
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
h
fe
250
900
Noise Figure
(I
C
= 20 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc, R
S
= 1.0 k , f = 1.0 kHz)
(I
C
= 100 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc, R
S
= 3.0 k , f = 1.0 kHz)
NF
2.0
2.0
dB
1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
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