參數(shù)資料
型號: 2N4922
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS
中文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225
封裝: PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 106K
代理商: 2N4922
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ISSUE V
STYLE 1:
PIN 1.
EMITTER
COLLECTOR
BASE
2.
3.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
–B–
U
–A–
M
K
F
C
Q
H
V
G
S
D
J
R
1
3
2
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010)
B
M
M
A
M
0.25 (0.010)
B
M
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
MIN
0.425
0.295
0.095
0.020
0.115
0.094 BSC
0.050
0.015
0.575
5 TYP
0.148
0.045
0.025
0.145
0.040
MAX
0.435
0.305
0.105
0.026
0.130
MIN
10.80
7.50
2.42
0.51
2.93
MAX
11.04
7.74
2.66
0.66
3.30
MILLIMETERS
INCHES
2.39 BSC
1.27
0.39
14.61
5 TYP
3.76
1.15
0.64
3.69
1.02
0.095
0.025
0.655
2.41
0.63
16.63
0.158
0.055
0.035
0.155
---
4.01
1.39
0.88
3.93
---
相關PDF資料
PDF描述
2N4928DCSM PNP
2N4941 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-79
2N4992 Silicon bilateral switch (SBS) in package TO-92
2N4999 HIGH ENERCY NPN TRANSISTOR
2N5001 HIGH ENERCY NPN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2N4923 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126
2N4923G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923NSC 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N4923