參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4922
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： 2N4922
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
5
V
R
1000
700
2.0
Figure 8. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
3.0
5.0
10
20 30
200300 500
2000
500
200
100
70
50
Figure 9. Collector Saturation Region
1.0
0.2
IB, BASE CURRENT (mA)
0
0.3
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
200
0.8
0.6
0.4
0.2
IC = 0.1 A
TJ = 25
°
C
0.25 A
0.5 A
1.0 A
300
h
TJ = 150
°
C
25
°
C
-55
°
C
VCE = 1.0 V
30
20
50
100
1000
3.0
30
100
108
0
Figure 10. Effects of Base–Emitter Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
30
60
90
120
150
107
105
104
103
VCE = 30 V
IC = 10 x ICES
IC = 2 x ICES
IC
≈
ICES
ICES VALUES
OBTAINED FROM
FIGURE 12
106
1.5
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. “On” Voltage
5.0
10
20 30
50
100
200300
2000
1.2
0.9
0.6
0.3
0
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V
3.0
500
1000
VBE @ VCE = 2.0 V
104
-0.2
Figure 12. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
103
102
10-1
,
I
-0.1
0
+0.1
+0.2
+0.3
+0.4
+0.5
VCE = 30 V
TJ = 150
°
C
100
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
IC = ICES
+2.5
2.0
Figure 13. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0
5.0
10
20 30
50
100 200
2000
-55
°
C to +100
°
C
T
°
+2.0
+1.5
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
θ
VB FOR VBE
TJ = 100
°
C to 150
°
C
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE@VCE
1.0V
2
+1.0
300 500
1000
101
100
10-2
*
θ
VC FOR VCE(sat)
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N4922G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126
2N4923G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923NSC 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N4923
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