參數(shù)資料
型號: 2N4922
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS
中文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225
封裝: PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 106K
代理商: 2N4922
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
2
40
30
20
10
025
50
75
100
125
150
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
P
Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed.
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N4922G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126
2N4923G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923NSC 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N4923