參數(shù)資料
型號： 2N4922
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： 2N4922
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
3
*Indicates JEDEC Registered Data.
VCEO(sus)
60
—
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
—
—
0.5
0.1
—
mAdc
0.5
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = Rated VCB, IE = 0)
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125 C
mAdc
Emitter Cutoff Current
IEBO
—
1.0
mAdc
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
40
30
—
150
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
Base–Emitter On Voltage (3)
VBE(on)
—
1.3
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
5.0
10
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VCC = 30 V
IC/IB = 20
t
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
20
30
50
70
100
200
700 1000
VCC
SCOPE
RB
Cjd<<Ceb
-4.0 V
t1
≤
15 ns
100 < t2
≤
500
μ
s
t3
≤
15 ns
DUTY CYCLE
≈
2.0%
RB and RC varied to
obtain desired
current levels
Vin
RC
3.0
IC/IB = 10, UNLESS NOTED
VCC = 30 V
VCC = 60 V
VBE(off) = 2.0 V
VCC = 30 V
VBE(off) = 0
300
500
tr
td
t1
VBE(off)
APPROX 9.0 V
TURN-ON PULSE
t3
t2
Vin
APPROX
+11 V
Vin
TURN-OFF PULSE
APPROX
+11 V
TJ = 25
°
C
TJ = 150
°
C
VCC = 60 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N4923 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126
2N4923G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4923NSC 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N4923
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