參數(shù)資料
型號： 2MBI800UG-170
廠商： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 477K
代理商： 2MBI800UG-170
H04-004-03a
MS5F5924
13
9
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Dynamic Gate charge (typ.)
Tj= 25°C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=+15V,sense terminal
Tj=125°C,sense terminal
Tj= 125°C, sense terminal
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=25°C
Tj=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
9V
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=1600A
Ic=800A
Ic=400A
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
C
G
Gate charge : Qg [ nC ]
0
VGE
VCE
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