參數(shù)資料
型號： 2MBI800UG-170
廠商： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大?。?/td> 477K
代理商： 2MBI800UG-170
H04-004-03a
MS5F5924
13
10
±
VGE=15V, Rgoff = 1.8
,Tj = 125°C
/ chip
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=900V, VGE=±15V, Rgon=1.0
, Rgoff=1.8
,Tj=125°C
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=900V, Ic=800A, VGE=±15V, Tj= 125°C
Vcc=900V, VGE=±15V, Rgon=1.0
, Rgoff=1.8
, Tj=
１
25°C
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=900V, Ic=800A, VGE=±15V, Tj= 125°C
Reverse bias safe operating area (max.)
0.01
0.1
1
10
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
S
Collector current : Ic [ A ]
toff
ton
tf
tr
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1.0
10.0
100.0
S
Gate resistance : Rg [
]
tr
tf
toff
ton
0
100
200
300
400
500
600
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
S
Collector current : Ic [ A ] , Forward current : IF [ A ]
Eon
Eoff
Err
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0.1
1.0
10.0
100.0
S
Gate resistance : Rg [
]
Eoff
Err
Eon
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0
500
1000
1500
2000
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
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