參數(shù)資料
型號： 2MBI1200U4G-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： M248, 10 PIN
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大小： 595K
代理商： 2MBI1200U4G-120
Tentative
(Under developmemt)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
H04-004-003
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
14
9
MT5F16507
Tj= 25°C
D
T
F
l
t
Tj= 125°C, sense terminal
Tj=25
℃
,sense terminal
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
℃
,sense terminal
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
VGE=+15V,sense terminal
t
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=2400A
Ic=1200A
Ic=600A
1
10
100
1000
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
200
400
600
800
1000
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
Gate charge : Qg [ nC ]
C
0
5
10
15
20
25
G
VGE
VCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2MBI1200UG-170 IGBT MODULE
2MBI150NT-120-01 IGBT module
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2MBI150U4B-120 IGBT MODULE
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參數(shù)描述
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