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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2MBI1200U4G-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | M248, 10 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/14頁(yè) |
| 文件大小： | 595K |
| 代理商： | 2MBI1200U4G-120 |
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Tentative
(Under developmemt)
H04-004-003
t
T
F
l
t
D
14
13
MT5F16507
Warnings
- If excessive static electricity is applied to the control terminals, the devices may be broken. Implement some
countermeasures against static electricity.
制御端子に過大な靜電気が印加された場(chǎng)合、素子が破壊する場(chǎng)合があります。取り扱い時(shí)は靜電気対策を?qū)g施して下さい。
- Never add the excessive mechanical stress to the main or control terminals when the product is applied to
equipments. The module structure may be broken.
素子を裝置に実裝する際に、主端子や制御端子に過大な応力を與えないで下さい。端子構(gòu)造が破壊する可能性があります。
- In case of insufficient -VGE, erroneous turn-on of IGBT may occur. -VGE shall be set enough value to prevent
this malfunction. (Recommended value : -VGE = -15V)
逆バイアスゲート電圧-VGEが不足しますと誤點(diǎn)弧を起こす可能性があります。誤點(diǎn)弧を起こさない為に-VGEは十分な値で
設(shè)定して下さい?！。ㄍ茒X値 : -VGE = -15V)
- In case of higher turn-on dv/dt of IGBT, erroneous turn-on of opposite arm IGBT may occur. Use this product in
the most suitable drive conditions, such as +VGE, -VGE, RG to prevent the malfunction.
ターンオン dv/dt が高いと対抗アームのＩＧＢＴが誤點(diǎn)弧を起こす可能性があります。誤點(diǎn)弧を起こさない為の最適なドライブ
條件（+VGE, -VGE, RG等）でご使用下さい。
- This product may be broken by avalanche in case of VCE beyond maximum rating VCES is applied between
C-E terminals. Use this product within its absolute maximum voltage.
VCESを超えた電圧が印加された場(chǎng)合、アバランシェを起こして素子破壊する場(chǎng)合があります。VCEは必ず絶対定格の範(fàn)囲內(nèi)
でご使用下さい。
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2MBI1200UG-170 | IGBT MODULE |
| 2MBI150NT-120-01 | IGBT module |
| 2MBI150U4A-120 | IGBT MODULE |
| 2MBI150U4B-120 | IGBT MODULE |
| 2MBI150U4H-170 | IGBT MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2MBI1200U4G-170 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.6kA; Collector Emitter Voltage Vces:2.57V; Power Dissipation Pd:6.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: No |
| 2MBI1200UG-170 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT MODULE |
| 2MBI1400VXB-120P-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL,1400A/1200V 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT, MODULE, DUAL,1400A/1200V; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:1.8kA; Collector Emitter Voltage Vces:1.75V; Power Dissipation Pd:7.65kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes |
| 2MBI150-060 | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2MBI150-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
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