參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4148WS-V-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 2-Pin SOD-323 T/R
中文描述： 小信號(hào)快速開(kāi)關(guān)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： 1N4148WS-V-GS08
1N4148W-G
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.2, 08-May-13
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www.vishay.com/doc91000
1
Document Number: 81139
Small Signal Fast Switching Diode
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-123
Weight:
approx. 9.4 mg
Packaging codes/options:
18/10K per 13
"
reel (8 mm tape), 10K/box
08/3K per 7
"
reel (8 mm tape), 15K/box
FEATURES
Silicon epitaxial planar diode
Fast switching diode
AEC-Q101 qualified
Base P/N-G3 - green, commercial grade
Material categorization:
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc99912
Note
(1)
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
PARTS TABLE
PART
1N4148W-G
ORDERING CODE
1N4148W-G3-08 or 1N4148W-G3-18
TYPE MARKING
AH
INTERNAL CONSTRUCTION
Single diode
REMARKS
Tape and reel
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified current half wave rectification with
resistive load
(1)
Surge forward current
Power dissipation
(1)
TEST CONDITION
SYMBOL
V
R
V
RRM
VALUE
75
100
UNIT
V
V
f
50 Hz
I
F(AV)
150
mA
t < 1 s and T
j
= 25 °C
I
FSM
P
tot
500
350
mA
mW
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
(1)
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
T
op
VALUE
357
150
- 65 to + 150
- 55 to + 150
UNIT
K/W
°C
°C
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4148W-V-GS18 Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 2-Pin SOD-123 T/R
1N4150-TAP DIODE 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Signal Diode
1N4150-TR DIODE 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Signal Diode
1N4150W-V-GS08 Diode Small Signal Switching 50V 0.2A 2-Pin SOD-123 T/R
1N4150W-V-GS18 1N4150W-V Small Signal Fast Switching Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4148WS-V-GS18 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 100 Volt 350mA 4ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4148WT 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) SINGLE JUNC. 100V 4.0NS COMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4148W-T 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 75V 150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4148WT-7 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 100V Io/150mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4148WT-7-F 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 100V Io/150mA T/R INVALID P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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